運(yùn)河警示浮標(biāo)單個(gè)航道航標(biāo)

浮力：浸在液體(或氣體)里的物體受到液體(或氣體)向上托的力。
浮力的方向：與重力方向相反，豎直向上。
浮力產(chǎn)生的原因：浸在液體或氣體里的物體受到液體或氣體對物體向上的和向下的壓力差 [1]  。
物體在液體中下表面受到的壓力于物體在液體中上表面受到的壓力，所以合力為F向上-F向下，原因是液體內(nèi)部向各個(gè)方向都有壓強(qiáng)，那么物體上表面受到液體給它的個(gè)向下的壓力，而物體下表面受到液體給它的個(gè)向上的壓力。由于在同種液體中，深度越，壓強(qiáng)越，所以物體下表面受到的壓力很明顯要于物體上表面受到的壓力，所以是F向上-F向下

運(yùn)河警示浮標(biāo)單個(gè)航道航標(biāo)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表個(gè)二進(jìn)制比（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是個(gè)可避的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。
與SRAM相比，DRAM的勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每個(gè)比的數(shù)據(jù)都只需個(gè)電容跟個(gè)晶體管來理，相比之下在SRAM上個(gè)比通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故，DRAM擁有高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較的缺點(diǎn)。

以浸在液體中的物體為例，由于液體會產(chǎn)生壓強(qiáng)，而且壓強(qiáng)隨深度增加而變，且液體內(nèi)部向各個(gè)方向都有壓強(qiáng)，因此物體下底面受到的液體向上的壓力較，上底面受到的液體向下的壓力較小，物體上、下底面的壓力差即表現(xiàn)為豎直向上的浮力。側(cè)面所受到的壓力相互抵消